FS45MR12W1M1B11BOMA1
制造商：Infineon Technologies
批号：19+
数量：2000+
功能：MOSFET MODULE 1200V 50A
FS45MR12W1M1B11BOMA1 详细信息
- 包装托盘
- 系列CoolSiC™
- 零件状态有源
- FET 类型6 N-沟道（3 相桥）
- FET 功能碳化硅 （SiC）
- 漏源电压（Vdss）1200V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）25A（Tj）
- 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）45 毫欧 @ 25A，15V（标准）
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5.55V @ 10mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）62nC @ 15V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1840pF @ 800V
- 功率 - 最大值20mW（Tc）
- 工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型底座安装
- 封装/外壳模块
- 供应商器件封装AG-EASY1BM-2
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