DF11MR12W1M1B11BOMA1
制造商：Infineon Technologies
批号：19+
数量：2000+
功能：MOSFET MODULE 1200V 50A
DF11MR12W1M1B11BOMA1 详细信息
- 包装托盘
- 系列CoolSiC™
- 零件状态停產
- FET 类型2 N-通道（双）
- FET 功能碳化硅 （SiC）
- 漏源电压（Vdss）1200V（1.2kV）
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）50A
- 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）23 毫欧 @ 50A，15V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5.5V @ 20mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）125nC @ 5V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3950pF @ 800V
- 功率 - 最大值20mW
- 工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型底座安装
- 封装/外壳模块
- 供应商器件封装模块
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