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FF6MR12W2M1B11BOMA1

制造商：Infineon Technologies

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET MODULE 1200V 200A

FF6MR12W2M1B11BOMA1 详细信息
  • 包装托盘
  • 系列CoolSiC™
  • 零件状态有源
  • FET 类型2 N-通道（双）
  • FET 功能碳化硅 （SiC）
  • 漏源电压（Vdss）1200V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）200A（Tj）
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）5.63 毫欧 @ 200A，15V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5.55V @ 10mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）496nC @ 15V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）14700pF @ 800V
  • 功率 - 最大值20mW（Tc）
  • 工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装AG-EASY2BM-2
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  • 可选

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无起订量限制

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