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IRF7756TR

制造商：Infineon Technologies

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP

IRF7756TR 详细信息
  • 包装标准卷带
  • 系列HEXFET®
  • 零件状态停產
  • FET 类型2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）12V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4.3A
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）40 毫欧 @ 4.3A，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）900mV @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）18nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1400pF @ 10V
  • 功率 - 最大值1W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
  • 供应商器件封装8-TSSOP
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