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IRF6702M2DTRPBF

制造商：Infineon Technologies

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET

IRF6702M2DTRPBF 详细信息
  • 包装标准卷带
  • 系列HEXFET®
  • 零件状态停產
  • FET 类型2 N-通道（双）
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）15A
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）6.6 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.35V @ 25µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）14nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1380pF @ 15V
  • 功率 - 最大值2.7W
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DirectFET™ 等容 MA
  • 供应商器件封装DIRECTFET™ MA
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