DF200R12W1H3FB11BOMA1
制造商：Infineon Technologies
批号：19+
数量：2000+
功能：IGBT MOD 1200V 30A 20MW
DF200R12W1H3FB11BOMA1 详细信息
- 包装托盘
- 系列EasyPACK™
- 零件状态不適用於新設計
- IGBT 类型沟槽型场截止
- 配置三相反相器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）1200V
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）30A
- 功率 - 最大值20mW
- 不同Vge，Ic 时的Vce（on）1.45V @ 15V，30A
- 电流 - 集电极截止（最大值）1mA
- 不同Vce 时的输入电容（Cies）6.15nF @ 25V
- 输入标准
- NTC 热敏电阻是
- 工作温度-40°C ~ 150°C
- 安装类型底座安装
- 封装/外壳模块
- 供应商器件封装模块
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