BFR740L3RHE6327XTSA1
制造商：Infineon Technologies
批号：19+
数量：2000+
功能：射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
BFR740L3RHE6327XTSA1 详细信息
- 制造商:Infineon
- 产品种类:射频(RF)双极晶体管
- RoHS:是
- 系列:BFR740L3
- 晶体管类型:Bipolar
- 技术:SiGe
- 晶体管极性:NPN
- 直流集电极/Base Gain hfe Min:160
- 集电极—发射极最大电压 VCEO:4 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO:1.2 V
- 集电极连续电流:40 mA
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:TSLP-3
- 封装:Cut Tape
- 封装:Reel
- 工作频率:40 GHz
- 商标:Infineon Technologies
- Pd-功率耗散:160 mW
- 产品类型:RF Bipolar Transistors
- 工厂包装数量:15000
- 子类别:Transistors
- 零件号别名:740L3RH BFR BFR74L3RHE6327XT E6327 SP000252393
- 单位重量:0.500 mg
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