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BFR840L3RHESDE6327XTSA1
制造商：Infineon Technologies
批号：19+
数量：2000+
功能：射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 详细信息
- 制造商:Infineon
- 产品种类:射频(RF)双极晶体管
- RoHS:是
- 系列:BFR840L3
- 晶体管类型:Bipolar
- 技术:SiGe
- 集电极—发射极最大电压 VCEO:2.25 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO:2.9 V
- 集电极连续电流:35 mA
- 最小工作温度:- 55 C
- 最大工作温度:+ 150 C
- 配置:Single
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:TSLP-3
- 封装:Cut Tape
- 封装:MouseReel
- 封装:Reel
- 工作频率:75 GHz
- 类型:RF Silicon Germanium
- 商标:Infineon Technologies
- Pd-功率耗散:75 mW
- 产品类型:RF Bipolar Transistors
- 工厂包装数量:15000
- 子类别:Transistors
- 零件号别名:840L3RHESD BFR BFR84L3RHESDE6327XT E6327 SP000978848
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