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BSO080P03S H

制造商：Infineon Technologies

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P

BSO080P03S H 详细信息
  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SO-8
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:P-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:30 V
  • Id-连续漏极电流:14.9 A
  • Rds On-漏源导通电阻:8 mOhms
  • Vgs - 栅极-源极电压:25 V
  • Qg-栅极电荷:- 102 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:2.5 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:OptiMOS
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:1.75 mm
  • 长度:4.9 mm
  • 系列:OptiMOS P
  • 晶体管类型:1 P-Channel
  • 宽度:3.9 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 正向跨导 - 最小值:43 S
  • 下降时间:110 ns
  • 湿度敏感性:Yes
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:22 ns
  • 工厂包装数量:2500
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:130 ns
  • 典型接通延迟时间:15 ns
  • 零件号别名:BSO080P03SHXUMA1 BSO8P3SHXT SP000613798
  • 单位重量:540 mg
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