F3L25R12W1T4B27BOMA1
制造商：Infineon Technologies
批号：19+
数量：2000+
功能：IGBT 模块 LOW POWER EASY
F3L25R12W1T4B27BOMA1 详细信息
- 制造商:Infineon
- 产品种类:IGBT 模块
- RoHS:是
- 技术:Si
- 产品:IGBT Silicon Modules
- 配置:3-Phase
- 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
- 集电极—射极饱和电压:1.85 V
- 在25 C的连续集电极电流:25 A
- 栅极—射极漏泄电流:100 nA
- Pd-功率耗散:215 W
- 封装 / 箱体:EasyPack1B
- 最小工作温度:- 40 C
- 最大工作温度:+ 150 C
- 封装:Tray
- 商标:Infineon Technologies
- 安装风格:Through Hole
- 栅极/发射极最大电压:20 V
- 产品类型:IGBT Modules
- 工厂包装数量:24
- 子类别:IGBTs
- 商标名:EasyPACK
- 零件号别名:F3L25R12W1T4_B27 SP001056108
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