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FP10R12KE3

制造商：Infineon Technologies

批号：19+

数量：2000+

功能：IGBT 模块 ELECTRONIC COMPONENT

FP10R12KE3 详细信息
  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:IGBT 模块
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
  • 集电极—射极饱和电压:2.45 V
  • 在25 C的连续集电极电流:15 A
  • 栅极—射极漏泄电流:400 nA
  • Pd-功率耗散:20 mW
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 125 C
  • 封装:Tray
  • 商标:Infineon Technologies
  • 安装风格:Chassis Mount
  • 栅极/发射极最大电压:20 V
  • 产品类型:IGBT Modules
  • 工厂包装数量:20
  • 子类别:IGBTs
  • 零件号别名:FP10R12KE3BOMA1 SP000100274
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