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IGOT60R070D1AUMA1

制造商：Infineon Technologies

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor

IGOT60R070D1AUMA1 详细信息
  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:GaN
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:PG-DSO-20
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:600 V
  • Id-连续漏极电流:31 A
  • Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:0.9 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:10 V
  • Qg-栅极电荷:5.8 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:125 W
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:CoolGaN
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:Reel
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 商标:Infineon Technologies
  • 下降时间:13 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:9 ns
  • 工厂包装数量:800
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:15 ns
  • 典型接通延迟时间:15 ns
  • 零件号别名:SP001505772
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