IAUT165N08S5N029ATMA2
制造商：Infineon Technologies
批号：19+
数量：2000+
功能：MOSFET MOSFET_(75V,120V(
IAUT165N08S5N029ATMA2 详细信息
- 制造商:Infineon
- 产品种类:MOSFET
- RoHS:是
- 技术:Si
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:HSOF-8
- 通道数量:1 Channel
- 晶体管极性:N-Channel
- Vds-漏源极击穿电压:80 V
- Id-连续漏极电流:165 A
- Rds On-漏源导通电阻:2.9 mOhms
- Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V
- Vgs - 栅极-源极电压:20 V
- Qg-栅极电荷:90 nC
- 最小工作温度:- 55 C
- 最大工作温度:+ 175 C
- Pd-功率耗散:167 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 资格:AEC-Q101
- 封装:Cut Tape
- 封装:Reel
- 商标:Infineon Technologies
- 下降时间:29 ns
- 湿度敏感性:Yes
- 产品类型:MOSFET
- 上升时间:9 ns
- 工厂包装数量:2000
- 子类别:MOSFETs
- 典型关闭延迟时间:23 ns
- 典型接通延迟时间:13 ns
- 零件号别名:IAUT165N08S5N029 SP001585162
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