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IPDD60R102G7XTMA1

制造商：Infineon Technologies

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET HIGH POWER_NEW

IPDD60R102G7XTMA1 详细信息
  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:PG-HDSOP-10
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:600 V
  • Id-连续漏极电流:23 A
  • Rds On-漏源导通电阻:102 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:34 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:139 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:Reel
  • 商标:Infineon Technologies
  • 下降时间:4 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:5 ns
  • 工厂包装数量:1700
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:60 ns
  • 典型接通延迟时间:18 ns
  • 零件号别名:IPDD60R102G7 SP001632832
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