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IGW75N65H5XKSA1

制造商：Infineon Technologies

批号：19+

数量：2000+

功能：IGBT 晶体管 Infineon s new TRENCHSTOP 5 IGBT technology redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market s high e

IGW75N65H5XKSA1 详细信息
  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:IGBT 晶体管
  • 技术:Si
  • 封装 / 箱体:TO-247-3
  • 安装风格:Through Hole
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V
  • 集电极—射极饱和电压:1.65 V
  • 栅极/发射极最大电压:20 V
  • 在25 C的连续集电极电流:120 A
  • Pd-功率耗散:395 W
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • 系列:TRENCHSTOP 5 H5
  • 封装:Tube
  • 商标:Infineon Technologies
  • 栅极—射极漏泄电流:100 nA
  • 产品类型:IGBT Transistors
  • 工厂包装数量:240
  • 子类别:IGBTs
  • 商标名:TRENCHSTOP
  • 零件号别名:IGW75N65H5 SP001257936
  • 单位重量:6.100 g
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