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IPG20N04S4L-08

制造商：Infineon Technologies

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4L-08 详细信息
  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TDSON-8
  • 通道数量:2 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:40 V
  • Id-连续漏极电流:20 A
  • Rds On-漏源导通电阻:7.2 mOhms, 7.2 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:16 V
  • Qg-栅极电荷:39 nC, 39 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:54 W
  • 配置:Dual
  • 通道模式:Enhancement
  • 资格:AEC-Q101
  • 商标名:OptiMOS
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:1.27 mm
  • 长度:5.9 mm
  • 系列:OptiMOS-T2
  • 晶体管类型:2 N-Channel
  • 宽度:5.15 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 下降时间:20 ns, 20 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:3 ns, 3 ns
  • 工厂包装数量:5000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:40 ns, 40 ns
  • 典型接通延迟时间:7 ns, 7 ns
  • 零件号别名:IPG20N04S4L08ATMA1 IPG2N4S4L8XT SP000705576
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