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IPB036N12N3 G

制造商：Infineon Technologies

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB036N12N3 G 详细信息
  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-263-7
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:120 V
  • Id-连续漏极电流:180 A
  • Rds On-漏源导通电阻:2.9 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:211 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:300 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:OptiMOS
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:4.4 mm
  • 长度:10 mm
  • 系列:OptiMOS 3
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:9.25 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 正向跨导 - 最小值:98 S
  • 下降时间:21 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:52 ns
  • 工厂包装数量:1000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:76 ns
  • 典型接通延迟时间:35 ns
  • 零件号别名:IPB036N12N3GATMA1 IPB36N12N3GXT SP000675204
  • 单位重量:1.600 g
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