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IRFP4668PBF

制造商：Infineon Technologies

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg

IRFP4668PBF 详细信息
  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-247-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:200 V
  • Id-连续漏极电流:130 A
  • Rds On-漏源导通电阻:9.7 mOhms
  • Vgs - 栅极-源极电压:30 V
  • Qg-栅极电荷:161 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:520 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封装:Tube
  • 高度:20.7 mm
  • 长度:15.87 mm
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:5.31 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 正向跨导 - 最小值:150 S
  • 下降时间:74 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:105 ns
  • 工厂包装数量:400
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:64 ns
  • 典型接通延迟时间:41 ns
  • 零件号别名:SP001572854
  • 单位重量:38 g
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