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IPD90R1K2C3ATMA1

制造商：Infineon Technologies

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET N-Ch 900V 5.1A DPAK-2

IPD90R1K2C3ATMA1 详细信息
  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:PG-TO-252-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:900 V
  • Id-连续漏极电流:5.1 A
  • Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:10 V
  • Qg-栅极电荷:28 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:83 W
  • 配置:Single
  • 商标名:CoolMOS
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:2.3 mm
  • 长度:6.5 mm
  • 系列:CoolMOS C3
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:6.22 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 下降时间:40 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:20 ns
  • 工厂包装数量:2500
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:400 ns
  • 典型接通延迟时间:70 ns
  • 零件号别名:IPD90R1K2C3 SP001117752
  • 单位重量:4 g
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