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IRF6618TRPBF

制造商：Infineon Technologies

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC

IRF6618TRPBF 详细信息
  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:DirectFET-MT
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:30 V
  • Id-连续漏极电流:170 A
  • Rds On-漏源导通电阻:3.4 mOhms
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:46 nC
  • Pd-功率耗散:89 W
  • 配置:Single
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:0.7 mm
  • 长度:6.35 mm
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:5.05 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 产品类型:MOSFET
  • 工厂包装数量:4800
  • 子类别:MOSFETs
  • 零件号别名:SP001529242
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