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IPA60R190E6

制造商:Infineon Technologies

批号:19+

数量:2000+

功能:MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6

IPA60R190E6 详细信息
  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220FP-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:600 V
  • Id-连续漏极电流:20.2 A
  • Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:63 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:151 W
  • 配置:Single
  • 商标名:CoolMOS
  • 封装:Tube
  • 高度:16.15 mm
  • 长度:10.65 mm
  • 系列:CoolMOS E6
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:4.85 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 下降时间:8 nS
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:10 ns
  • 工厂包装数量:500
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:90 nS
  • 零件号别名:IPA60R190E6XKSA1 IPA6R19E6XK SP000797380
  • 单位重量:6 g
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