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IRF6718L2TRPBF

制造商：Infineon Technologies

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 0.7mOhms 64nC

IRF6718L2TRPBF 详细信息
  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:DirectFET-L6
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:25 V
  • Id-连续漏极电流:270 A
  • Rds On-漏源导通电阻:1 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:1.9 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:64 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:4.3 W
  • 配置:Single
  • 商标名:DirectFET
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:0.74 mm
  • 长度:9.15 mm
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:7.1 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 正向跨导 - 最小值:820 S
  • 下降时间:53 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:140 ns
  • 工厂包装数量:4000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:47 ns
  • 典型接通延迟时间:67 ns
  • 零件号别名:SP001523928
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