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IGD06N60TATMA1

制造商：Infineon Technologies

批号：19+

数量：2000+

功能：IGBT 晶体管 Infineon's TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery Emitter Controlled Diod

IGD06N60TATMA1 详细信息
  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:IGBT 晶体管
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 封装 / 箱体:TO-252-3
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
  • 集电极—射极饱和电压:1.5 V
  • 栅极/发射极最大电压:20 V
  • 在25 C的连续集电极电流:12 A
  • Pd-功率耗散:88 W
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • 系列:TRENCHSTOP IGBT
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:Reel
  • 商标:Infineon Technologies
  • 栅极—射极漏泄电流:100 nA
  • 产品类型:IGBT Transistors
  • 工厂包装数量:2500
  • 子类别:IGBTs
  • 商标名:TRENCHSTOP
  • 零件号别名:IGD06N60T IGD6N6TXT SP000960698
  • 单位重量:316.800 mg
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