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IRFB3256PBF

制造商：Infineon Technologies

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET MOSFET, 60V, 210A, 3 130 nC Qg, TO-220AB

IRFB3256PBF 详细信息
  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:60 V
  • Id-连续漏极电流:210 A
  • Rds On-漏源导通电阻:3.4 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:10 V
  • Qg-栅极电荷:130 nC
  • Pd-功率耗散:300 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封装:Tube
  • 高度:15.65 mm
  • 长度:10 mm
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:4.4 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 正向跨导 - 最小值:88 S
  • 下降时间:64 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:77 ns
  • 工厂包装数量:1000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:55 ns
  • 典型接通延迟时间:22 ns
  • 零件号别名:SP001577830
  • 单位重量:6 g
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