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IPB029N06N3GE8187ATMA1
制造商：Infineon Technologies
批号：19+
数量：2000+
功能：MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2
IPB029N06N3GE8187ATMA1 详细信息
- 制造商:Infineon
- 产品种类:MOSFET
- RoHS:是
- 技术:Si
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:TO-263-3
- 通道数量:1 Channel
- 晶体管极性:N-Channel
- Vds-漏源极击穿电压:60 V
- Id-连续漏极电流:120 A
- Rds On-漏源导通电阻:2.9 mOhms
- Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
- Vgs - 栅极-源极电压:20 V
- Qg-栅极电荷:53 nC
- Pd-功率耗散:188 W
- 配置:Single
- 封装:Cut Tape
- 封装:MouseReel
- 封装:Reel
- 高度:4.4 mm
- 长度:10 mm
- 系列:IPB029N06
- 晶体管类型:1 N-Channel
- 宽度:9.25 mm
- 商标:Infineon Technologies
- 产品类型:MOSFET
- 工厂包装数量:1000
- 子类别:MOSFETs
- 零件号别名:E8187 G IPB029N06N3 IPB29N6N3GE8187XT SP000939334
- 单位重量:2 g
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