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IPA65R660CFDXKSA2

制造商：Infineon Technologies

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther

IPA65R660CFDXKSA2 详细信息
  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220FP-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:650 V
  • Id-连续漏极电流:6 A
  • Rds On-漏源导通电阻:660 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:22 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:27.8 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:CoolMOS
  • 封装:Tube
  • 系列:CFD2
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 商标:Infineon Technologies
  • 下降时间:10 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:8 ns
  • 工厂包装数量:500
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:40 ns
  • 典型接通延迟时间:9 ns
  • 零件号别名:IPA65R660CFD
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