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IRF6645

制造商：Infineon Technologies

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ

IRF6645 详细信息
  • 包装管件
  • 系列HEXFET®
  • 零件状态停產
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）100V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5.7A（Ta），25A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）35 毫欧 @ 5.7A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.9V @ 50µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）20nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）890pF @ 25V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）3W（Ta），42W（Tc）
  • 工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DIRECTFET™ SJ
  • 封装/外壳DirectFET™ 等容 SJ
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