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IPP037N08N3GE8181XKSA1
制造商：Infineon Technologies
批号：19+
数量：2000+
功能：MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
IPP037N08N3GE8181XKSA1 详细信息
- 包装管件
- 系列OptiMOS™
- 零件状态停產
- FET 类型N 通道
- 技术MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）80V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
- 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）3.75 毫欧 @ 100A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 155µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）117nC @ 10V
- Vgs（最大值）±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）8110pF @ 40V
- FET 功能-
- 功率耗散（最大值）214W（Tc）
- 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型通孔
- 供应商器件封装PG-TO220-3
- 封装/外壳TO-220-3
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