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IPB072N15N3GE8187ATMA1
制造商：Infineon Technologies
批号：19+
数量：2000+
功能：MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
IPB072N15N3GE8187ATMA1 详细信息
- 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 系列OptiMOS™
- 零件状态停產
- FET 类型N 通道
- 技术MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）150V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）8V，10V
- 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）7.2 毫欧 @ 100A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 270µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）93nC @ 10V
- Vgs（最大值）±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）5470pF @ 75V
- FET 功能-
- 功率耗散（最大值）300W（Tc）
- 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型表面贴装型
- 供应商器件封装PG-TO263-3-2
- 封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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