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IPD50R1K4CEBTMA1

制造商：Infineon Technologies

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252

IPD50R1K4CEBTMA1 详细信息
  • 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 系列CoolMOS™ CE
  • 零件状态停產
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）500V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3.1A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）13V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）1.4 欧姆 @ 900mA，13V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 70µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）1nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）178pF @ 100V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）25W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO252-3
  • 封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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