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IPL60R2K1C6SATMA1

制造商：Infineon Technologies

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET N-CH 8TSON

IPL60R2K1C6SATMA1 详细信息
  • 包装标准卷带
  • 系列CoolMOS™ C6
  • 零件状态停產
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）600V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.3A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）2.1 欧姆 @ 760mA，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 60µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）6.7nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）140pF @ 100V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）21.6W（Tc）
  • 工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装Thin-PAK（5x6）
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
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